Diodes Incorporated - DMN95H8D5HCT

KEY Part #: K6397775

DMN95H8D5HCT Ceny (USD) [64054ks skladem]

  • 1 pcs$0.58116
  • 50 pcs$0.46359
  • 100 pcs$0.40564
  • 500 pcs$0.29757
  • 1,000 pcs$0.23493

Číslo dílu:
DMN95H8D5HCT
Výrobce:
Diodes Incorporated
Detailní popis:
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - Zener - Single, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Diodes Incorporated DMN95H8D5HCT. DMN95H8D5HCT může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na DMN95H8D5HCT, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN95H8D5HCT Vlastnosti produktu

Číslo dílu : DMN95H8D5HCT
Výrobce : Diodes Incorporated
Popis : MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 950V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 125W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : TO-220AB
Balíček / Případ : TO-220-3

Můžete se také zajímat
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.