Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J207FE,LF

KEY Part #: K6421546

SSM6J207FE,LF Ceny (USD) [776433ks skladem]

  • 1 pcs$0.05267
  • 4,000 pcs$0.05240

Číslo dílu:
SSM6J207FE,LF
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailní popis:
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Tranzistory - speciální účel, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - DIAC, SIDAC and Moduly ovladače napájení ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J207FE,LF. SSM6J207FE,LF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SSM6J207FE,LF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J207FE,LF Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SSM6J207FE,LF
Výrobce : Toshiba Semiconductor and Storage
Popis : MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Série : U-MOSII
Stav části : Active
Typ FET : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 251 mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 137pF @ 15V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 500mW (Ta)
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : ES6 (1.6x1.6)
Balíček / Případ : SOT-563, SOT-666