Infineon Technologies - IPP80N04S204AKSA1

KEY Part #: K6407152

[1072ks skladem]


    Číslo dílu:
    IPP80N04S204AKSA1
    Výrobce:
    Infineon Technologies
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - Zener - Single and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPP80N04S204AKSA1. IPP80N04S204AKSA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPP80N04S204AKSA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP80N04S204AKSA1 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : IPP80N04S204AKSA1
    Výrobce : Infineon Technologies
    Popis : MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
    Série : OptiMOS™
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 40V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 300W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Through Hole
    Balík zařízení pro dodavatele : PG-TO220-3-1
    Balíček / Případ : TO-220-3

    Můžete se také zajímat
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • IRFR5505GTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

    • IRLR3636PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

    • SN7002NL6433HTMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002W L6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.