Samsung Semiconductor - K4U6E3S4AM-GUCL

KEY Part #: K7359744

[21415ks skladem]


    Číslo dílu:
    K4U6E3S4AM-GUCL
    Výrobce:
    Samsung Semiconductor
    Detailní popis:
    16 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: LPDDR4, GDDR6, HBM Aquabolt, MODULE, LPDDR3, LPDDR4X, HBM Flarebolt and LPDDR5 ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4U6E3S4AM-GUCL. K4U6E3S4AM-GUCL může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4U6E3S4AM-GUCL, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4U6E3S4AM-GUCL Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : K4U6E3S4AM-GUCL
    Výrobce : Samsung Semiconductor
    Popis : 16 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production
    Série : DDR3
    Hustota : 16 Gb
    Org. : x32
    Rychlost : 4266 Mbps
    Napětí : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    Temp. : -40 ~ 125 °C
    Balík : 200FBGA
    Stav produkt : Mass Production

    Můžete se také zajímat
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.