Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. DRAM
  4. LPDDR4X
  5. K4U2E3S4AA-GHCL

Samsung Semiconductor - K4U2E3S4AA-GHCL

KEY Part #: K7359739

[16330ks skladem]

    Číslo dílu:
    K4U2E3S4AA-GHCL
    Výrobce:
    Samsung Semiconductor
    Detailní popis:
    12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: MODULE, LPDDR4, HBM Aquabolt, DDR3, DDR4, LPDDR5, HBM Flarebolt and LPDDR3 ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Samsung Semiconductor K4U2E3S4AA-GHCL. K4U2E3S4AA-GHCL může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na K4U2E3S4AA-GHCL, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4U2E3S4AA-GHCL Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : K4U2E3S4AA-GHCL
    Výrobce : Samsung Semiconductor
    Popis : 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    Série : DDR3
    Hustota : 12 Gb
    Org. : x32
    Rychlost : 4266 Mbps
    Napětí : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    Temp. : -40 ~ 105 °C
    Balík : 200FBGA
    Stav produkt : Mass Production

    Poslední zprávy

    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Inside the building blocks of the 5G future
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Speed for the next generation of mobile devices
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Můžete se také zajímat
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    Horké díly