Infineon Technologies - 6MS24017E33W32860NOSA1

KEY Part #: K6532484

6MS24017E33W32860NOSA1 Ceny (USD) [2ks skladem]

  • 1 pcs$8449.92191

Číslo dílu:
6MS24017E33W32860NOSA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MODULE IGBT STACK A-MS3-1.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Zener - Single, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tyristory - SCR and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies 6MS24017E33W32860NOSA1. 6MS24017E33W32860NOSA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 6MS24017E33W32860NOSA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6MS24017E33W32860NOSA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : 6MS24017E33W32860NOSA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MODULE IGBT STACK A-MS3-1
Série : ModSTACK™ 3
Stav části : Active
Typ IGBT : -
Konfigurace : Three Phase Inverter
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : -
Proud - kolektor (Ic) (Max) : -
Výkon - Max : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 1200A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : -
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : -
Vstup : Standard
Termistor NTC : No
Provozní teplota : -25°C ~ 55°C
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : Module
Balík zařízení pro dodavatele : Module

Můžete se také zajímat
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.