Microsemi Corporation - APT200GN60JG

KEY Part #: K6534336

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - Zener - pole, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly and Tyristory - SCR - Moduly ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APT200GN60JG. APT200GN60JG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APT200GN60JG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : APT200GN60JG

Výrobce : Microsemi Corporation

Popis : IGBT 600V 283A 682W SOT227

Série : -

Stav části : Discontinued at Digi-Key

Typ IGBT : Trench Field Stop

Konfigurace : Single

Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 600V

Proud - kolektor (Ic) (Max) : 283A

Výkon - Max : 682W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 200A

Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 25µA

Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 14.1nF @ 25V

Vstup : Standard

Termistor NTC : No

Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže : Chassis Mount

Balíček / Případ : ISOTOP

Balík zařízení pro dodavatele : ISOTOP®

Můžete se také zajímat

GA400TD25S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.
CPV364M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.
CPV363M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.
GA200SA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT UFAST 600V 100A SOT227.
GA200SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT STD 600V 100A SOT227.
STGE50NB60HD

STMicroelectronics

IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.

Horké díly