Infineon Technologies - BSZ123N08NS3GATMA1

KEY Part #: K6420262

BSZ123N08NS3GATMA1 Ceny (USD) [175953ks skladem]

  • 1 pcs$0.21021

Číslo dílu:
BSZ123N08NS3GATMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - SCR, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - JFETy, Diody - Zener - Single and Tranzistory - IGBTs - Arrays ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies BSZ123N08NS3GATMA1. BSZ123N08NS3GATMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BSZ123N08NS3GATMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ123N08NS3GATMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : BSZ123N08NS3GATMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
Série : OptiMOS™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 80V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta), 40A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 40V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TSDSON-8
Balíček / Případ : 8-PowerVDFN