BAS16LT1G Ceny (USD) [4680751ks skladem]
- 1 pcs$0.00790
- 3,000 pcs$0.00788
- 6,000 pcs$0.00710
- 15,000 pcs$0.00618
- 30,000 pcs$0.00556
- 75,000 pcs$0.00494
- 150,000 pcs$0.00411
- Číslo dílu:
- BAS16LT1G
- Výrobce:
- ON Semiconductor
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75V 200mA
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - JFETy, Tyristory - TRIAC, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated and Tranzistory - bipolární (BJT) - RF ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor BAS16LT1G. BAS16LT1G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BAS16LT1G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
BAS16LT1G Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
BAS16LT1G
Výrobce :
ON Semiconductor
Popis :
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
100V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
200mA (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Rychlost :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) :
6ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
1µA @ 100V
Kapacita @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zařízení pro dodavatele :
SOT-23-3 (TO-236)
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horké díly
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G