Microsemi Corporation - APTGT200DA120D3G

KEY Part #: K6533109

APTGT200DA120D3G Ceny (USD) [1165ks skladem]

  • 1 pcs$37.14864
  • 100 pcs$35.24754

Číslo dílu:
APTGT200DA120D3G
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
IGBT 1200V 300A 1050W D3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - Single, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - speciální účel, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTGT200DA120D3G. APTGT200DA120D3G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTGT200DA120D3G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DA120D3G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APTGT200DA120D3G
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : IGBT 1200V 300A 1050W D3
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : Trench Field Stop
Konfigurace : Single
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 300A
Výkon - Max : 1050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 6mA
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Vstup : Standard
Termistor NTC : No
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : D-3 Module
Balík zařízení pro dodavatele : D3