Rohm Semiconductor - BSM180C12P2E202

KEY Part #: K6392688

BSM180C12P2E202 Ceny (USD) [164ks skladem]

  • 1 pcs$281.91240

Číslo dílu:
BSM180C12P2E202
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Detailní popis:
BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - IGBTs - Single, Moduly ovladače napájení, Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - Zener - pole and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202. BSM180C12P2E202 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BSM180C12P2E202, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM180C12P2E202 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : BSM180C12P2E202
Výrobce : Rohm Semiconductor
Popis : BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1200V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 204A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : +22V, -6V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 20000pF @ 10V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 1360W (Tc)
Provozní teplota : 175°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balík zařízení pro dodavatele : Module
Balíček / Případ : Module