Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N35AFE,LF

KEY Part #: K6523202

SSM6N35AFE,LF Ceny (USD) [1336019ks skladem]

  • 1 pcs$0.02769

Číslo dílu:
SSM6N35AFE,LF
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailní popis:
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - TRIAC and Diody - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFE,LF. SSM6N35AFE,LF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SSM6N35AFE,LF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6N35AFE,LF Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SSM6N35AFE,LF
Výrobce : Toshiba Semiconductor and Storage
Popis : MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
Funkce FET : Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.34nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 36pF @ 10V
Výkon - Max : 250mW
Provozní teplota : 150°C
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : SOT-563, SOT-666
Balík zařízení pro dodavatele : ES6