Microsemi Corporation - APTGT50DH60T1G

KEY Part #: K6533111

APTGT50DH60T1G Ceny (USD) [2943ks skladem]

  • 1 pcs$15.20662
  • 100 pcs$15.13096

Číslo dílu:
APTGT50DH60T1G
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOD IGBT 600V 80A SP1.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - Zener - pole, Diody - usměrňovače - pole, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - IGBTs - Single and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTGT50DH60T1G. APTGT50DH60T1G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTGT50DH60T1G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50DH60T1G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APTGT50DH60T1G
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOD IGBT 600V 80A SP1
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : Trench Field Stop
Konfigurace : Asymmetrical Bridge
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 600V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 80A
Výkon - Max : 176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 250µA
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
Vstup : Standard
Termistor NTC : Yes
Provozní teplota : -40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SP1
Balík zařízení pro dodavatele : SP1