Microsemi Corporation - APTGT100A1202G

KEY Part #: K6533670

[756ks skladem]


    Číslo dílu:
    APTGT100A1202G
    Výrobce:
    Microsemi Corporation
    Detailní popis:
    MOD IGBT 1200V 140A SP2.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - JFETy, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tyristory - DIAC, SIDAC and Diody - Zener - pole ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTGT100A1202G. APTGT100A1202G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTGT100A1202G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGT100A1202G Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : APTGT100A1202G
    Výrobce : Microsemi Corporation
    Popis : MOD IGBT 1200V 140A SP2
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ IGBT : Trench Field Stop
    Konfigurace : Half Bridge
    Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
    Proud - kolektor (Ic) (Max) : 140A
    Výkon - Max : 480W
    Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A
    Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 50µA
    Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 7.2nF @ 25V
    Vstup : Standard
    Termistor NTC : No
    Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Through Hole
    Balíček / Případ : SP2
    Balík zařízení pro dodavatele : SP2

    Můžete se také zajímat
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

    • VS-GT100DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.