Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole
  5. ALD110908PAL

Advanced Linear Devices Inc. - ALD110908PAL

KEY Part #: K6521896

ALD110908PAL Ceny (USD) [22346ks skladem]

  • 1 pcs$1.84433
  • 50 pcs$0.97551
Číslo dílu:
ALD110908PAL
Výrobce:
Advanced Linear Devices Inc.
Detailní popis:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - JFETy, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - Můstkové usměrňovače and Tranzistory - IGBTs - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Advanced Linear Devices Inc. ALD110908PAL. ALD110908PAL může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na ALD110908PAL, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD110908PAL Vlastnosti produktu

Číslo dílu : ALD110908PAL
Výrobce : Advanced Linear Devices Inc.
Popis : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Série : EPAD®
Stav části : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 10.6V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 820mV @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V
Výkon - Max : 500mW
Provozní teplota : 0°C ~ 70°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Balík zařízení pro dodavatele : 8-PDIP

Poslední zprávy

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers
Můžete se také zajímat
  • J112,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J113,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J177,126

    NXP USA Inc.

    JFET P-CH 30V 400MW TO92-3.

  • J111,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J107

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 625MW TO92.

  • PF5102

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 40V 0.625W TO92.

Horké díly