Taiwan Semiconductor Corporation - S1GR3

KEY Part #: K6458585

S1GR3 Ceny (USD) [2750629ks skladem]

  • 1 pcs$0.01345

Číslo dílu:
S1GR3
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detailní popis:
1A 400V GLASS PASSIVATED SMD R.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - pole, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tyristory - SCR, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF and Diody - usměrňovače - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Taiwan Semiconductor Corporation S1GR3. S1GR3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na S1GR3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1GR3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : S1GR3
Výrobce : Taiwan Semiconductor Corporation
Popis : 1A 400V GLASS PASSIVATED SMD R
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 400V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Rychlost : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 1.5µs
Proud - reverzní únik @ Vr : 1µA @ 400V
Kapacita @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : DO-214AC, SMA
Balík zařízení pro dodavatele : DO-214AC (SMA)
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 175°C

Můžete se také zajímat
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode