Global Power Technologies Group - GHIS080A060S-A1

KEY Part #: K6532687

GHIS080A060S-A1 Ceny (USD) [2151ks skladem]

  • 1 pcs$20.13502
  • 10 pcs$18.82759
  • 25 pcs$17.41267
  • 100 pcs$16.32438
  • 250 pcs$15.23608

Číslo dílu:
GHIS080A060S-A1
Výrobce:
Global Power Technologies Group
Detailní popis:
IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - JFETy and Diody - usměrňovače - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Global Power Technologies Group GHIS080A060S-A1. GHIS080A060S-A1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na GHIS080A060S-A1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS080A060S-A1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : GHIS080A060S-A1
Výrobce : Global Power Technologies Group
Popis : IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : Trench Field Stop
Konfigurace : Single
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 600V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 160A
Výkon - Max : 380W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 80A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 2mA
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 5.44nF @ 30V
Vstup : Standard
Termistor NTC : No
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SOT-227-4, miniBLOC
Balík zařízení pro dodavatele : SOT-227

Můžete se také zajímat
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.