Renesas Electronics America - HAT2160H-EL-E

KEY Part #: K6418636

HAT2160H-EL-E Ceny (USD) [71063ks skladem]

  • 1 pcs$0.58654
  • 2,500 pcs$0.58363

Číslo dílu:
HAT2160H-EL-E
Výrobce:
Renesas Electronics America
Detailní popis:
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - Zener - Single, Tranzistory - JFETy, Tyristory - SCR and Diody - Zener - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Renesas Electronics America HAT2160H-EL-E. HAT2160H-EL-E může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na HAT2160H-EL-E, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HAT2160H-EL-E Vlastnosti produktu

Číslo dílu : HAT2160H-EL-E
Výrobce : Renesas Electronics America
Popis : MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Série : -
Stav části : Not For New Designs
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 60A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 7750pF @ 10V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 30W (Tc)
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : LFPAK
Balíček / Případ : SC-100, SOT-669