Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single
  5. GA08JT17-247

GeneSiC Semiconductor - GA08JT17-247

KEY Part #: K6399027

GA08JT17-247 Ceny (USD) [1624ks skladem]

  • 1 pcs$25.13866
  • 10 pcs$23.65888
  • 25 pcs$22.18002
  • 100 pcs$21.14497
Číslo dílu:
GA08JT17-247
Výrobce:
GeneSiC Semiconductor
Detailní popis:
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Diody - RF, Tyristory - SCR, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tyristory - TRIAC, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí and Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247. GA08JT17-247 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na GA08JT17-247, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA08JT17-247 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : GA08JT17-247
Výrobce : GeneSiC Semiconductor
Popis : TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1700V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc) (90°C)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 8A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : -
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 48W (Tc)
Provozní teplota : 175°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : TO-247AB
Balíček / Případ : TO-247-3
Můžete se také zajímat
  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TN0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • IRFI630GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP.

Horké díly