Infineon Technologies - IRFB33N15DPBF

KEY Part #: K6398208

IRFB33N15DPBF Ceny (USD) [43906ks skladem]

  • 1 pcs$0.85711
  • 10 pcs$0.77265
  • 100 pcs$0.62088
  • 500 pcs$0.48291
  • 1,000 pcs$0.40012

Číslo dílu:
IRFB33N15DPBF
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - JFETy, Diody - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBT - Moduly and Tyristory - DIAC, SIDAC ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IRFB33N15DPBF. IRFB33N15DPBF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IRFB33N15DPBF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB33N15DPBF Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IRFB33N15DPBF
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
Série : HEXFET®
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 150V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2020pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : TO-220AB
Balíček / Případ : TO-220-3