Vishay Siliconix - 2N6661-2

KEY Part #: K6403057

[2490ks skladem]


    Číslo dílu:
    2N6661-2
    Výrobce:
    Vishay Siliconix
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole and Tyristory - SCR - Moduly ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix 2N6661-2. 2N6661-2 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 2N6661-2, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N6661-2 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : 2N6661-2
    Výrobce : Vishay Siliconix
    Popis : MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 90V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 860mA (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Through Hole
    Balík zařízení pro dodavatele : TO-39
    Balíček / Případ : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can