Vishay Semiconductor Diodes Division - MMBD914-E3-18

KEY Part #: K6458627

MMBD914-E3-18 Ceny (USD) [3230446ks skladem]

  • 1 pcs$0.01145
  • 10,000 pcs$0.01059

Číslo dílu:
MMBD914-E3-18
Výrobce:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tyristory - SCR, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tyristory - SCR - Moduly and Diody - Zener - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division MMBD914-E3-18. MMBD914-E3-18 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na MMBD914-E3-18, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMBD914-E3-18 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : MMBD914-E3-18
Výrobce : Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Série : Automotive, AEC-Q101
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 100V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 200mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1V @ 10mA
Rychlost : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) : 4ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 5µA @ 75V
Kapacita @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zařízení pro dodavatele : SOT-23
Provozní teplota - křižovatka : 150°C (Max)

Můžete se také zajímat
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode