BAS20,215 Ceny (USD) [3630489ks skladem]
- 1 pcs$0.01019
- 3,000 pcs$0.00974
- 6,000 pcs$0.00879
- 15,000 pcs$0.00764
- 30,000 pcs$0.00688
- 75,000 pcs$0.00611
- 150,000 pcs$0.00509
- Číslo dílu:
- BAS20,215
- Výrobce:
- Nexperia USA Inc.
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SW TAPE-7
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Moduly ovladače napájení, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - RF and Tranzistory - speciální účel ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Nexperia USA Inc. BAS20,215. BAS20,215 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BAS20,215, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
BAS20,215 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
BAS20,215
Výrobce :
Nexperia USA Inc.
Popis :
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
150V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
200mA (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Rychlost :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) :
50ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
100nA @ 150V
Kapacita @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zařízení pro dodavatele :
TO-236AB
Provozní teplota - křižovatka :
150°C (Max)
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horké díly
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97