LS4154GS08 Ceny (USD) [4193785ks skladem]
- 1 pcs$0.00882
- 12,500 pcs$0.00831
- Číslo dílu:
- LS4154GS08
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 25V 150MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 35 Volt 150mA 2.0 Amp IFSM
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division LS4154GS08. LS4154GS08 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na LS4154GS08, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
LS4154GS08 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
LS4154GS08
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 25V 150MA SOD80
Série :
Automotive, AEC-Q101
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
25V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
150mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1V @ 30mA
Rychlost :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) :
4ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
100nA @ 25V
Kapacita @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
SOD-80 Variant
Balík zařízení pro dodavatele :
SOD-80 QuadroMELF
Provozní teplota - křižovatka :
175°C (Max)
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horké díly
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A