Vishay Semiconductor Diodes Division - BAL99-E3-08

KEY Part #: K6458640

BAL99-E3-08 Ceny (USD) [3340050ks skladem]

  • 1 pcs$0.01169
  • 15,000 pcs$0.01163

Číslo dílu:
BAL99-E3-08
Výrobce:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 450mA 6ns 250 mA IFSM
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Zener - pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - Zener - Single and Tranzistory - programovatelný Unijunction ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division BAL99-E3-08. BAL99-E3-08 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BAL99-E3-08, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAL99-E3-08 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : BAL99-E3-08
Výrobce : Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis : DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
Série : Automotive, AEC-Q101
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 70V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 250mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 6ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 2.5µA @ 70V
Kapacita @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zařízení pro dodavatele : SOT-23
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 150°C

Můžete se také zajímat
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode