IXYS - IXTH21N50Q

KEY Part #: K6401297

[3099ks skladem]


    Číslo dílu:
    IXTH21N50Q
    Výrobce:
    IXYS
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Zener - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - programovatelný Unijunction and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky IXYS IXTH21N50Q. IXTH21N50Q může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IXTH21N50Q, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTH21N50Q Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : IXTH21N50Q
    Výrobce : IXYS
    Popis : MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
    Série : HiPerFET™
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 500V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 10.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 300W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Through Hole
    Balík zařízení pro dodavatele : TO-247AD (IXTH)
    Balíček / Případ : TO-247-3

    Můžete se také zajímat
    • LND150N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

    • DN2530N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

    • IRFIBC30GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

    • TPC8048-H(TE12L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

    • SI4628DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC.

    • IRF720SPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.