[2766ks skladem]
- Číslo dílu:
- RGP10JHM3/73
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL.
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - speciální účel, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - IGBT - Moduly and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10JHM3/73. RGP10JHM3/73 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RGP10JHM3/73, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
RGP10JHM3/73 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
RGP10JHM3/73
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Série :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Stav části :
Obsolete
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 1A
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
150ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
5µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže :
Through Hole
Balíček / Případ :
DO-204AL, DO-41, Axial
Balík zařízení pro dodavatele :
DO-204AL (DO-41)
Provozní teplota - křižovatka :
-65°C ~ 175°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
Horké díly
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215