VS-8EWF02S-M3 Ceny (USD) [26568ks skladem]
- 1 pcs$1.49838
- 10 pcs$1.34546
- 25 pcs$1.27204
- 100 pcs$1.04592
- 250 pcs$0.99230
- 500 pcs$0.89039
- 1,000 pcs$0.75093
- 2,500 pcs$0.71517
- Číslo dílu:
- VS-8EWF02S-M3
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - RF, Tyristory - DIAC, SIDAC, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWF02S-M3. VS-8EWF02S-M3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na VS-8EWF02S-M3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
VS-8EWF02S-M3 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
VS-8EWF02S-M3
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
8A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 8A
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
55ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
100µA @ 200V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Balík zařízení pro dodavatele :
D-PAK (TO-252AA)
Provozní teplota - křižovatka :
-40°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
Horké díly
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G