RGP10ME-E3/91 Ceny (USD) [2770ks skladem]
- 12,500 pcs$0.06352
- Číslo dílu:
- RGP10ME-E3/91
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL.
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Diody - Zener - pole, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10ME-E3/91. RGP10ME-E3/91 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RGP10ME-E3/91, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
RGP10ME-E3/91 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
RGP10ME-E3/91
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Série :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Stav části :
Obsolete
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
1000V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 1A
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
150ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapacita @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže :
Through Hole
Balíček / Případ :
DO-204AL, DO-41, Axial
Balík zařízení pro dodavatele :
DO-204AL (DO-41)
Provozní teplota - křižovatka :
-65°C ~ 175°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
Horké díly
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18