Číslo dílu :
SIHB33N60E-GE3
Výrobce :
Vishay Siliconix
Popis :
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
600V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
33A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
3508pF @ 100V
Ztráta výkonu (Max) :
278W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
D2PAK
Balíček / Případ :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB