BAS16,235 Ceny (USD) [4776375ks skladem]
- 1 pcs$0.00774
- 10,000 pcs$0.00723
- 30,000 pcs$0.00650
- 50,000 pcs$0.00578
- 100,000 pcs$0.00542
- 250,000 pcs$0.00482
- Číslo dílu:
- BAS16,235
- Výrobce:
- Nexperia USA Inc.
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SW TAPE-11
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Tyristory - TRIAC, Diody - Zener - Single, Moduly ovladače napájení, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - SCR - Moduly, Tyristory - SCR and Diody - usměrňovače - pole ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Nexperia USA Inc. BAS16,235. BAS16,235 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BAS16,235, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
BAS16,235 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
BAS16,235
Výrobce :
Nexperia USA Inc.
Popis :
DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23
Série :
Automotive, AEC-Q101, BAS16
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
100V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
215mA (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
4ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
500nA @ 80V
Kapacita @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zařízení pro dodavatele :
TO-236AB
Provozní teplota - křižovatka :
150°C (Max)
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horké díly
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08