Vishay Siliconix - SI1071X-T1-GE3

KEY Part #: K6407723

[874ks skladem]


    Číslo dílu:
    SI1071X-T1-GE3
    Výrobce:
    Vishay Siliconix
    Detailní popis:
    MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - speciální účel, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Diody - Zener - Single ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SI1071X-T1-GE3. SI1071X-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SI1071X-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1071X-T1-GE3 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : SI1071X-T1-GE3
    Výrobce : Vishay Siliconix
    Popis : MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
    Série : TrenchFET®
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : -
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 167 mOhm @ 960mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.45V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13.3nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±12V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 315pF @ 15V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 236mW (Ta)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : SC-89-6
    Balíček / Případ : SOT-563, SOT-666

    Můžete se také zajímat