S1M-KR2G Ceny (USD) [2511991ks skladem]
- 1 pcs$0.01472
- Číslo dílu:
- S1M-KR2G
- Výrobce:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detailní popis:
- STANDARD RECOVERY RECTIFIER.
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Zener - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Můstkové usměrňovače and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Taiwan Semiconductor Corporation S1M-KR2G. S1M-KR2G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na S1M-KR2G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
S1M-KR2G Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
S1M-KR2G
Výrobce :
Taiwan Semiconductor Corporation
Popis :
STANDARD RECOVERY RECTIFIER
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
1000V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Rychlost :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
1.5µs
Proud - reverzní únik @ Vr :
1µA @ 1000V
Kapacita @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
DO-214AC, SMA
Balík zařízení pro dodavatele :
DO-214AC (SMA)
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 175°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
BAS16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR
Horké díly
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR