BAS16WH6327XTSA1 Ceny (USD) [3792433ks skladem]
- 1 pcs$0.01320
- 3,000 pcs$0.01313
- Číslo dílu:
- BAS16WH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon Technologies
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - speciální účel, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single and Diody - Zener - Single ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies BAS16WH6327XTSA1. BAS16WH6327XTSA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BAS16WH6327XTSA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
BAS16WH6327XTSA1 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
BAS16WH6327XTSA1
Výrobce :
Infineon Technologies
Popis :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
Série :
-
Stav části :
Last Time Buy
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
80V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
250mA (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
4ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
1µA @ 75V
Kapacita @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
SC-70, SOT-323
Balík zařízení pro dodavatele :
PG-SOT323-3
Provozní teplota - křižovatka :
150°C (Max)
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horké díly
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18