Výrobce :
STMicroelectronics
Popis :
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
1200V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 400V
Ztráta výkonu (Max) :
150W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže :
Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele :
HiP247™
Balíček / Případ :
TO-247-3