Vishay Siliconix - SQ9407EY-T1_GE3

KEY Part #: K6420160

SQ9407EY-T1_GE3 Ceny (USD) [165576ks skladem]

  • 1 pcs$0.22339
  • 2,500 pcs$0.18881

Číslo dílu:
SQ9407EY-T1_GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Tranzistory - JFETy, Diody - Zener - Single, Tyristory - SCR, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single and Tyristory - SCR - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SQ9407EY-T1_GE3. SQ9407EY-T1_GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SQ9407EY-T1_GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ9407EY-T1_GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SQ9407EY-T1_GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Série : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 4.6A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1140pF @ 30V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 3.75W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : 8-SO
Balíček / Případ : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)