Toshiba Semiconductor and Storage - TK6P53D(T6RSS-Q)

KEY Part #: K6420124

TK6P53D(T6RSS-Q) Ceny (USD) [162137ks skladem]

  • 1 pcs$0.25219
  • 2,000 pcs$0.25094

Číslo dílu:
TK6P53D(T6RSS-Q)
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailní popis:
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage TK6P53D(T6RSS-Q). TK6P53D(T6RSS-Q) může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na TK6P53D(T6RSS-Q), odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6P53D(T6RSS-Q) Vlastnosti produktu

Číslo dílu : TK6P53D(T6RSS-Q)
Výrobce : Toshiba Semiconductor and Storage
Popis : MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3
Série : π-MOSVII
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 525V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 100W (Tc)
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : D-Pak
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63