BAS20-E3-08 Ceny (USD) [3028543ks skladem]
- 1 pcs$0.01221
- 15,000 pcs$0.01130
- Číslo dílu:
- BAS20-E3-08
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 625mA 50ns
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - speciální účel, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole and Moduly ovladače napájení ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division BAS20-E3-08. BAS20-E3-08 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BAS20-E3-08, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
BAS20-E3-08 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
BAS20-E3-08
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23
Série :
Automotive, AEC-Q101
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
150V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
200mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Rychlost :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) :
50ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
100nA @ 150V
Kapacita @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zařízení pro dodavatele :
SOT-23
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horké díly
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18