Nexperia USA Inc. - PSMN1R6-30MLHX

KEY Part #: K6420271

PSMN1R6-30MLHX Ceny (USD) [177123ks skladem]

  • 1 pcs$0.20882

Číslo dílu:
PSMN1R6-30MLHX
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Detailní popis:
PSMN1R6-30MLH/SOT1210/MLFPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - RF, Tyristory - SCR and Tranzistory - IGBTs - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30MLHX. PSMN1R6-30MLHX může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na PSMN1R6-30MLHX, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R6-30MLHX Vlastnosti produktu

Číslo dílu : PSMN1R6-30MLHX
Výrobce : Nexperia USA Inc.
Popis : PSMN1R6-30MLH/SOT1210/MLFPAK
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 160A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2.369nF @ 15V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 106W (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : LFPAK33
Balíček / Případ : SOT-1210, 8-LFPAK33