ON Semiconductor - FQD4P25TF

KEY Part #: K6413265

[13160ks skladem]


    Číslo dílu:
    FQD4P25TF
    Výrobce:
    ON Semiconductor
    Detailní popis:
    MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - usměrňovače - pole, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tyristory - TRIAC, Diody - Zener - pole and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor FQD4P25TF. FQD4P25TF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FQD4P25TF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD4P25TF Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : FQD4P25TF
    Výrobce : ON Semiconductor
    Popis : MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
    Série : QFET®
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 250V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : D-Pak
    Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Můžete se také zajímat