Vishay Semiconductor Diodes Division - LS4448GS18

KEY Part #: K6458685

LS4448GS18 Ceny (USD) [4461899ks skladem]

  • 1 pcs$0.00829
  • 10,000 pcs$0.00781

Číslo dílu:
LS4448GS18
Výrobce:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/150mA 2.0 Amp IFSM
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - Single, Tranzistory - JFETy, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division LS4448GS18. LS4448GS18 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na LS4448GS18, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LS4448GS18 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : LS4448GS18
Výrobce : Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80
Série : Automotive, AEC-Q101
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 75V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 150mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA
Rychlost : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) : 8ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 25nA @ 20V
Kapacita @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : SOD-80 Variant
Balík zařízení pro dodavatele : SOD-80 QuadroMELF
Provozní teplota - křižovatka : 175°C (Max)

Můžete se také zajímat
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode