Číslo dílu :
APTGTQ100A65T1G
Výrobce :
Microsemi Corporation
Popis :
POWER MODULE - IGBT
Konfigurace :
Half Bridge
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) :
650V
Proud - kolektor (Ic) (Max) :
100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 100A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) :
100µA
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce :
6nF @ 25V
Provozní teplota :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže :
Chassis Mount
Balíček / Případ :
Module
Balík zařízení pro dodavatele :
SP1