Microsemi Corporation - APTGT50H60T3G

KEY Part #: K6532650

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Moduly ovladače napájení, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Tranzistory - speciální účel ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTGT50H60T3G. APTGT50H60T3G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTGT50H60T3G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : APTGT50H60T3G

Výrobce : Microsemi Corporation

Popis : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Série : -

Stav části : Active

Typ IGBT : Trench Field Stop

Konfigurace : Full Bridge Inverter

Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 600V

Proud - kolektor (Ic) (Max) : 80A

Výkon - Max : 176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 250µA

Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V

Vstup : Standard

Termistor NTC : Yes

Provozní teplota : -40°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže : Chassis Mount

Balíček / Případ : SP3

Balík zařízení pro dodavatele : SP3

Můžete se také zajímat

VS-ETF150Y65N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.
CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.
CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.
CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.
CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.
A2C25S12M3-F

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.