Infineon Technologies - BSP129H6906XTSA1

KEY Part #: K6420294

BSP129H6906XTSA1 Ceny (USD) [178840ks skladem]

  • 1 pcs$0.20682
  • 1,000 pcs$0.18546

Číslo dílu:
BSP129H6906XTSA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - pole, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - speciální účel and Diody - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies BSP129H6906XTSA1. BSP129H6906XTSA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BSP129H6906XTSA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP129H6906XTSA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : BSP129H6906XTSA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
Série : SIPMOS™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 240V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 350mA (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.7nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 108pF @ 25V
Funkce FET : Depletion Mode
Ztráta výkonu (Max) : 1.8W (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-SOT223-4
Balíček / Případ : TO-261-4, TO-261AA