Microsemi Corporation - APTM10HM19FT3G

KEY Part #: K6522651

APTM10HM19FT3G Ceny (USD) [1796ks skladem]

  • 1 pcs$24.23878
  • 100 pcs$24.11819

Číslo dílu:
APTM10HM19FT3G
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Zener - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Moduly ovladače napájení and Diody - Usměrňovače - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTM10HM19FT3G. APTM10HM19FT3G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTM10HM19FT3G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10HM19FT3G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APTM10HM19FT3G
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 100V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 25V
Výkon - Max : 208W
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SP3
Balík zařízení pro dodavatele : SP3