Toshiba Semiconductor and Storage - TJ20S04M3L(T6L1,NQ

KEY Part #: K6420398

TJ20S04M3L(T6L1,NQ Ceny (USD) [190859ks skladem]

  • 1 pcs$0.21424
  • 2,000 pcs$0.21317

Číslo dílu:
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailní popis:
MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - speciální účel, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tyristory - TRIAC, Tyristory - DIAC, SIDAC and Tyristory - SCR - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L(T6L1,NQ. TJ20S04M3L(T6L1,NQ může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na TJ20S04M3L(T6L1,NQ, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TJ20S04M3L(T6L1,NQ Vlastnosti produktu

Číslo dílu : TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Výrobce : Toshiba Semiconductor and Storage
Popis : MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
Série : U-MOSVI
Stav části : Active
Typ FET : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 40V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (Max) : +10V, -20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 10V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 41W (Tc)
Provozní teplota : 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : DPAK+
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Můžete se také zajímat