BAS16-G3-18 Ceny (USD) [3236035ks skladem]
- 1 pcs$0.01206
- 10,000 pcs$0.01200
- Číslo dílu:
- BAS16-G3-18
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 250mA 6ns 500mA IFSM
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - Zener - Single, Tranzistory - JFETy, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - IGBTs - Arrays and Tranzistory - speciální účel ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division BAS16-G3-18. BAS16-G3-18 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BAS16-G3-18, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
BAS16-G3-18 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
BAS16-G3-18
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Série :
Automotive, AEC-Q101
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
75V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
150mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Rychlost :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) :
6ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
1µA @ 75V
Kapacita @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balík zařízení pro dodavatele :
SOT-23
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Horké díly
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR