Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6479HE3/97

KEY Part #: K6457830

1N6479HE3/97 Ceny (USD) [704650ks skladem]

  • 1 pcs$0.05249
  • 10,000 pcs$0.04757

Číslo dílu:
1N6479HE3/97
Výrobce:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - JFETy, Diody - Zener - Single, Tyristory - TRIAC, Tyristory - SCR, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tranzistory - IGBTs - Arrays ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6479HE3/97. 1N6479HE3/97 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N6479HE3/97, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6479HE3/97 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : 1N6479HE3/97
Výrobce : Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Série : SUPERECTIFIER®
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 100V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Rychlost : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : -
Proud - reverzní únik @ Vr : 10µA @ 100V
Kapacita @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : DO-213AB, MELF (Glass)
Balík zařízení pro dodavatele : DO-213AB
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 175°C

Můžete se také zajímat
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns