Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41YHE3/97

KEY Part #: K6457734

GL41YHE3/97 Ceny (USD) [656751ks skladem]

  • 1 pcs$0.05632
  • 10,000 pcs$0.04817

Číslo dílu:
GL41YHE3/97
Výrobce:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - usměrňovače - pole, Diody - Usměrňovače - Single and Diody - Můstkové usměrňovače ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division GL41YHE3/97. GL41YHE3/97 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na GL41YHE3/97, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41YHE3/97 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : GL41YHE3/97
Výrobce : Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis : DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Série : SUPERECTIFIER®
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 1600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 1A
Rychlost : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : -
Proud - reverzní únik @ Vr : 10µA @ 1600V
Kapacita @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : DO-213AB, MELF (Glass)
Balík zařízení pro dodavatele : DO-213AB
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 175°C

Můžete se také zajímat
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM