Diodes Incorporated - PDS4200HQ-13

KEY Part #: K6452401

PDS4200HQ-13 Ceny (USD) [246672ks skladem]

  • 1 pcs$0.14995
  • 5,000 pcs$0.13215

Číslo dílu:
PDS4200HQ-13
Výrobce:
Diodes Incorporated
Detailní popis:
DIODE SCHOTTKY 200V 4A POWERDI 5. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Rectifier
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Tyristory - SCR, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tyristory - TRIAC and Moduly ovladače napájení ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Diodes Incorporated PDS4200HQ-13. PDS4200HQ-13 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na PDS4200HQ-13, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PDS4200HQ-13 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : PDS4200HQ-13
Výrobce : Diodes Incorporated
Popis : DIODE SCHOTTKY 200V 4A POWERDI 5
Série : Automotive, AEC-Q101
Stav části : Active
Typ diod : Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 4A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 840mV @ 4A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 25ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 1µA @ 200V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : PowerDI™ 5
Balík zařízení pro dodavatele : PowerDI™ 5
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 175°C

Můžete se také zajímat
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • MBRD560TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A DPAK.

  • GL41M-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • RGL34K-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM